تصميم وتصنيع مفرق (p-n) باستخدام مادة السليكون نوع (n) مع مادة الألمنيوم وبطريقة الرشق الإلكتروني
Design and Fabrication of p-n Junction Using Si(n)-Al Material with Sputtering Method
- الباحث
- مروة عصام احمد
- المشرف
- خالد خليل محمد
- الجامعة
- جامعة الموصل
- الكلية / القسم
- كلية الهندسة / الهندسة الكهربائية
- الشهادة
- دبلوم عالي
- السنة
- 2022
- لغة الرسالة
- عربي
- الكلمات المفتاحية
- وصلة شوتكي ; المفرق p-n ; الرشق الإلكتروني ; السليكون
الملخص
يتضمن هذا المشروع تصنيع وصلة شوتكي (نوع خاص من المفرق 0-8) بطريقة الترذيذ (Sputtering method) باستخدام الجهاز ،(QuorumQ300TT) اذ تم تحضير الوصلة بترسيب اغشية رقيقة من الذهب بأسماك مختلفة A) 500 :.1500:1000) على BS) من السليكون نوع 1. وتم دراسة تأثير سمك أغشية الذهب على اداء وصلة شوتكي للعينات الثلاثة ذات الأسماك المختلفة 1000,500A) 1500) في حالة الظلام؛ إذ أستنتج المشروع Gi سمك أغشية الذهب الرقيقة لها تأثير على الخصائص الكهربائية، إذ أظهرت قياسات خواص (تيار-فولتية) زيادة التيار بالانحياز الأمامي لجميع العينات، ووجد أنَّ الوصلة old السمك A) 1500) لها أعلى تيار عند أقصى جهد مسلط وذلك يعود لكثرة حاملات الشحنة. وتم قياس خواص التيار - فولتية للعينه (1500A) عند الظلام ومره أخرى اثناء تعريضها للإضاءة الشمسية المباشرة إذ تبين SI للإضاءة تأثير ضوئي أدى الى زيادة كثافة التيار بالانحياز الامامي. وتم تعريض العينات الثلاثة لعملية التلدين الحراري باستخدام الفرن الكهريائي ودراسة تأثير الحرارة المختلفة(300,20070) على العينات LA ذات الأسماك المختلفة A) 1500:1000:500) وتم استنتاج Gl لزيادة درجة الحرارة تأثيراً على العينات الثلاثة متمثلاً بزيادة التيار بالانحياز الأمامي ونقصان بتيار التسريب في الانحياز العكسي وذلك يعود لزيادة كثافة حاملات الشحنة المتولدة عند سطح السليكونء ووجد Gl زيادة درجة الحرارة تعمل على تقليل الإجهادات داخل البنية البلورية للسليكون ،ومن SB تقلل من تركيز العيوب النقطية.
Abstract
This work includes the fabrication of the Schottky junction (a special type of p- n divider) by the sputtering method using the device (QuorumQ300TT). The junction was prepared by depositing a thin layer of gold of different thicknesses (1500، 1000، 5000Ȧ) on an n-type silicon substrate. The effect of the gold film thickness on the Schottky junction of the three samples of different thicknesses (500، 1000، 1500 Ȧ) was studied in the dark circumstance. It was observed that the junction with thickness (1500 Ȧ) had the highest current at the maximum applied voltage due to a large number of charge carriers. The current-voltage properties of the sample (1500 Ȧ) were measured in the dark and again when exposed to direct solar illumination، as it was found that the illumination has effect ، which led to a high series resistance in the junction. The three samples were subjected to the thermal annealing process using an electric furnace and the effect of different temperatures (200 ، 300°C) on the three samples of different thicknesses (0500، 1000، 500 Ȧ) was studied and also concluded that increasing the temperature affected the three Schottky connections represented by increasing the current with the forward bias A decrease in the leakage current in the reverse bias، which is due to the increase in the density of the charge carriers generated at the surface of the silicon، besides the increase in temperature reduces the stresses inside the crystal structure of the silicon، thus reduces the concentration of point defects.
طلب نسخة من الملف
الملفات غير منشورة على الموقع. اترك بياناتك وسيتواصل معك موظفو قسم الشؤون الثقافية والفنون لإرسال النسخة مجاناً.